Rendkívül stabil, felületre szerelhető PAR® tranziens feszültségcsillapítók (TVS) DO-218AB SM8S
A DO-218AB SM8S előnyei:
1. A kémiai maratási módszer technológiája miatt a közvetlen vágóeszközök negatív eredményei kiküszöbölhetők.
2. Erőteljes fordított túlfeszültségben, mivel nagyobb chip, mint a társaik.
3. Rendkívül alacsony meghibásodási arány különböző időjárási körülmények között és területeken
4. Az AEC-Q101 szabvány szerint jóváhagyva
5. A dióda funkciói optimalizálva vannak, kihasználva a PN csomópont tudományos védelmét.
ELSŐDLEGES JELLEMZŐK:
VBR: 11,1 V és 52,8 V között
VWM: 10 V–43 V
PPPM (10 x 1000 μs): 6600 W
PPPM (10 x 10 000 μs): 5200 W
PD: 8 W
IFSM: 700 A
TJ max.: 175 °C
Polaritás: egyirányú
Csomag: DO-218AB
A Chip gyártásának eljárásai
1. Automatikus nyomtatás（Ultraprecíz automatikus ostyanyomtatás)
2. Automatikus első maratás（Automata maratóberendezés, CPK>1,67
3. Automatikus polaritásteszt (precíz polaritásteszt)
4. Automatikus összeszerelés (saját fejlesztésű automatikus precíz összeszerelés)
5. Forrasztás (védelem nitrogén és hidrogén keverékével
Vákuumos forrasztás)
6. Automatikus másodmaratás (Automatikus második maratás ultratiszta vízzel)
7. Automatikus ragasztás (az egységes ragasztást és a precíz számítást az automatikus precíz ragasztóberendezések valósítják meg)
8. Automatikus hőteszt (automatikus kiválasztás a hőmérő által)
9. Automatikus teszt (multifunkciós teszter)
