Nagy hővezető képességű DPAK (TO-252AA) SiC dióda

Rövid leírás:

Csomagolás felépítése: DPAK (TO-252AA)

Bevezetés: A YUNYI DPAK (TO-252AA) SiC dióda szilícium-karbid anyagokból készül, magas hővezető képességgel és erős hőátadó képességgel rendelkezik, ami elősegíti a teljesítményberendezés teljesítménysűrűségének javítását, így alkalmasabb magas hőmérsékletű környezetben való működésre. A SiC diódák nagy letörési térerőssége növeli az ellenállóképességet és csökkenti a méretet, a nagy elektronikus letörési térerősség pedig növeli a félvezető teljesítményberendezések letörési feszültségét. Ugyanakkor az elektronletörési térerősség növekedésének köszönhetően a szennyeződés-penetrációs sűrűség növekedése esetén a SiC dióda teljesítményberendezés sodródási tartományának szélessávja csökkenthető, így a teljesítményberendezés mérete is csökkenthető.

Küldjön nekünk e-mailt

Termék részletei

Válaszidő monitorozása

Mérési tartomány

Termékcímkék

A YUNYI DPAK (TO-252AA) SiC diódájának előnyei:

1. Versenyképes ár, magas színvonalú minőséggel

2. Magas termelési hatékonyság rövid átfutási idővel

3. Kis méret, ami segít optimalizálni az áramköri lap helyét

4. Stabil és megbízható különböző természeti környezetekben

5. Saját fejlesztésű, alacsony veszteségű chip

A chipgyártás folyamata:

1. Mechanikus nyomtatás (szuperpontos automatikus ostyanyomtatás)

2. Automatikus első maratás （Automatikus maratóberendezés ，CPK>1,67）

3. Automatikus polaritásteszt (pontos polaritásteszt)

4. Automatikus összeszerelés (Saját fejlesztésű automatikus precíz összeszerelés)

5. Forrasztás (védelem nitrogén és hidrogén keverékével, vákuumforrasztással)

6. Automatikus második maratás (automatikus második maratás ultratiszta vízzel)

7. Automatikus ragasztás (az egyenletes ragasztást és a pontos számítást az automatikus precíz ragasztóberendezés valósítja meg)

8. Automatikus hőteszt (automatikus kiválasztás hőtesztelő által)

9. Automatikus teszt (multifunkcionális teszter)

A termékek paraméterei:

Cikkszám	Csomag	VRWM V	IO A	IFZM A	IR μa	V_F V
ZICRD5650	DPAK	650	5	60	60	2
ZICRD6650	DPAK	650	6	60	50	2
Z3D06065E	DPAK	650	6	70	3 (tipikusan 0,03)	1,7 (tipikusan 1,5)
ZICRD10650CT	DPAK	650	10	60	60	1.7
ZICRD10650	DPAK	650	10	110	100	1.7
ZICRD101200	DPAK	1200	10	110	100	1.8
ZICRD12600	DPAK	600	12	50	150	1.7
ZICRD12650	DPAK	650	12	50	150	1.7
Z3D03065E	DPAK	650	3	46	2 (tipikusan 0,03)	1,7 (tipikusan 1,4)
Z3D10065E	DPAK	650	10	115	40 (tipikusan 0,7)	1,7 (tipikusan 1,45)
Z4D04120E	DPAK	1200	4	46	200 (20 tipikus)	1,8 (tipikusan 1,5)
Z4D05120E	DPAK	1200	5	46	200 (20 tipikus)	1,8 (tipikusan 1,65)
Z4D02120E	DPAK	1200	2	44	50 (10 tipikus)	1,8 (tipikusan 1,5)
Z4D10120E	DPAK	1200	10	105	200 (tipikusan 30)	1,8 (tipikusan 1,5)
Z4D08120E	DPAK	1200	8	64	200 (tipikusan 35)	1,8 (tipikusan 1,6)
Z3D10065E2	DPAK	650	10	70 (lábanként)	8 (tipikusan 0,002) (száranként)	1,7 (tipikusan 1,5) (lábonként)